晶圓後段製程 (BGBM)
“在前段晶圓代工廠完成晶圓允收測試(WAT)後，
進行封裝 (Assembly)，
如何進行晶圓薄化與背金成長(BGBM)？“
進行封裝 (Assembly)，
如何進行晶圓薄化與背金成長(BGBM)？“
“好不容易完成了晶圓薄化與背金成長(BGBM)
，但後續又得將晶圓運送到其他地方做CP和切割，
有沒有一次就做到好的合作夥伴？“
，但後續又得將晶圓運送到其他地方做CP和切割，
有沒有一次就做到好的合作夥伴？“
ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程，
協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM)
- 多種研磨製程解決方案
- 多種背金解決方案
- 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um及多種正面金屬製程解決方案
- 完整而廣泛的一站式服務
服務特色
- 一站到位 (One-Stop) 服務
正面金屬化製程Front Side Metallization Process
背面研磨製程Back Side Grinding Process
背面金屬化製程Back Side Metallization Process
IGBT晶圓後段製程IGBT Wafer Backend Process
- 其他服務
後段製程完整解決方案Turnkey Solution for Backend Process
半導體製造流程
ProPowertek 宜錦科技結合創量科技(舊名:標準科技)，可提供從晶圓製程處理一路到後段CP、WLCSP與DPS一站式解決方案(參見圖內綠底綠字)。
服務項目
- 正面金屬製程
- 背面研磨製程
- 背面金屬化製程
- IGBT晶圓後段製程
- 後段製程完整解決方案
