晶圓薄化 (Wafer Thinning/Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)
利用研磨輪,進行快速而精密之研磨 (Grinding) 後,再去除因研磨產生的破壞層,並釋放應力。
ProPowertek 宜錦能為您做什麼?
完整的BGBM製程,第一步是晶圓薄化,在研磨 (Grinding) 及蝕刻後,可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度,並且移除破壞層,並且降低應力。
一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)流程
依照客戶晶圓特性,與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶後,進行膠帶貼附 (Taping);接著,進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding),並在完成一般研磨後,進行晶背溼蝕刻 (Backside Wet Etching);最後,進行厚度量測 (Measurement)。
ProPowertek宜錦服務優勢
- 採用DISCO全自動機台,可精準控制研磨
- 提供單片式蝕刻機台,可依客戶需求對N型或 P型晶圓提供客戶所需要之製程。
- 提供非接觸式光學量測,高精準度,完勝一般業界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
- 工程師團隊背景多元化,有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠,熟悉前中後段之製程整合及分析,能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
進行研磨及蝕刻後的晶圓
應用範圍
- 現有厚度組合: ≧100um,可依客戶需求進行厚度調整
- 適用八吋、六吋、P型 / N型晶圓