晶圓薄化 (Wafer Thinning/Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)

晶圓薄化 利用研磨輪,進行快速而精密之研磨 (Grinding) 後,再去除因研磨產生的破壞層,並釋放應力。

ProPowertek 宜錦能為您做什麼?

完整的BGBM製程,第一步是晶圓薄化,在研磨 (Grinding) 及蝕刻後,可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度,並且移除破壞層,並且降低應力。

一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)流程

依照客戶晶圓特性,與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶後,進行膠帶貼附 (Taping);接著,進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding),並在完成一般研磨後,進行晶背溼蝕刻 (Backside Wet Etching);最後,進行厚度量測 (Measurement)。

一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)流程

ProPowertek宜錦服務優勢

  • 採用DISCO全自動機台,可精準控制研磨
  • 提供單片式蝕刻機台,可依客戶需求對N型或 P型晶圓提供客戶所需要之製程。
  • 提供非接觸式光學量測,高精準度,完勝一般業界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
  • 工程師團隊背景多元化,有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠,熟悉前中後段之製程整合及分析,能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。

 

案例分享

進行研磨及蝕刻後的晶圓

研磨後的晶圓

研磨後的晶圓

蝕刻後的晶圓

蝕刻後的晶圓

 

應用範圍

  • 現有厚度組合: ≧100um,可依客戶需求進行厚度調整
  • 適用八吋、六吋、P型 / N型晶圓

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