晶背離子植入 (Backside implantation)
圖說：晶背離子植入示意圖
ProPowertek宜錦能為您做什麼？
針對薄晶圓的晶背進行離子植入，形成IGBT的集極 (collector)或是IGBT的場截止(Field stop)，目前台灣的8吋工廠中，僅有少部份公司可提供此項服務。
案例分享
圖說：在晶背進行離子植入後，以SIMS檢測離子濃度
應用範圍
- 後段晶背 (back side) 的離子植入。
- 晶圓 : 8吋 Non-Taiko150 um、Taiko 150~50um。6吋150um開發中。
- 植入離子種類 (Implanter dopant): 硼 (B)、磷 (P)。視客戶需求進行砷 (As)的開發。
- 植入離子能量： 2.4MeV，2.4 MeV~8 MeV工程驗證中。
- 配合雷射退火(Laser Annealing)機台為客戶提供IGBT整體解決方案。可客製化不同的植入深度及活化深度。
