晶背離子植入 (Backside implantation)

晶背離子植入
圖說:晶背離子植入示意圖

圖說:晶背離子植入示意圖

晶背離子植入是利用電漿把要植入的氣體分子離子化,離子受電場加速前進,受磁場轉彎,最後以高動能打入晶圓背面的淺層表面。使矽材質可以摻入3價離子形成P型或摻入5價離子形成N型半導體。

ProPowertek宜錦能為您做什麼?

針對薄晶圓的晶背進行離子植入,形成IGBT的集極 (collector)或是IGBT的場截止(Field stop),目前台灣的8吋工廠中,僅有少部份公司可提供此項服務。

案例分享

在晶背進行離子植入後,以SIMS檢測離子濃度

圖說:在晶背進行離子植入後,以SIMS檢測離子濃度

應用範圍

  • 後段晶背 (back side) 的離子植入。
  • 晶圓 : 8吋 Non-Taiko150 um、Taiko 150~50um。6吋150um開發中。
  • 植入離子種類 (Implanter dopant): 硼 (B)、磷 (P)。視客戶需求進行砷 (As)的開發。
  • 植入離子能量: 2.4MeV,2.4 MeV~8 MeV工程驗證中。
  • 配合雷射退火(Laser Annealing)機台為客戶提供IGBT整體解決方案。可客製化不同的植入深度及活化深度。

游先生 / Stan Yu
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