背面金屬濺鍍沈積 (Backside Metal Sputtering Deposition)
背面金屬濺鍍沈積 (Back Side Metal Sputtering Deposition)，是利用高真空的環境，將氬原子 (Ar) 解離後，產生二次電子和氬 (Ar) 離子，再利用靶材上的負電位，使氬 (Ar) 離子加速撞擊靶材，使靶材上的金屬沈積在晶片表面上。ProPowertek宜錦能為您做什麼？
可提供背面金屬濺鍍沈積 (Back Side Metal Sputtering Deposition)，可以在晶圓完成了研磨等薄化步驟後，利用特殊設計的機台，自動化為客戶製備焊墊金屬層，如MOSFET需求的鈦 / 鎳釩/ 銀 (Ti / NiV / Ag)，以及IGBT需求的鋁 / 鈦 / 鎳釩/ 銀 (Al / Ti / NiV / Ag)。
背面金屬濺鍍沈積 (Back Side Metal Sputtering Deposition)流程
機台會有固定時間，週期性的進行機台穩定度的檢測，利用控片分別進行各反應腔(Chamber)的測試，在ICP反應腔中會進行蝕刻率測試，在鋁(Al)、鈦(Ti)、鎳釩(NiV)、銀(Ag)則會分別進行沈積率及均勻性的預測試，確定了機台狀況一如往常的平穩後，產品會依照排程開始進入生產，客戶的晶圓在完成入站檢驗 (IQC) 後，按照客戶指示之種類及厚度，進入濺鍍機沈積金屬(Sputtering)。完成後，將進行出站檢驗 (OQC)。
ProPowertek宜錦服務優勢
- 提供鋁 / 鈦 / 鎳釩/ 銀 (Al / Ti / NiV / Ag)及鈦 / 鎳釩/ 銀 (Ti / NiV / Ag)的金屬組合。
- 可以全自動進行薄片濺鍍，無需人員手動操作。
- 可以提供濺鍍前清洗，避免原生氧化層產生，使阻值增加。
- 可以提供氮氣高溫烤箱，進行金屬後回火。
- 濺鍍金屬附著性良好，在高溫高溼85℃/ 85%、1000小時可靠度驗證下，無金屬剝離 (Metal Peeling) 情況。
- 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
無金屬剝離 (Non-metal Peeling)
濺鍍金屬後進行蝕刻間隙後，以膠帶進行peeling test，無金屬剝離的情況。
高溫高溼85度℃ 85%的 1000小時可靠度驗證，並進行晶粒挑揀 (Die Sawing) 後，以Blue Tape進行金屬剝離測試Peeling test，無任何剝離 (Peeling) 產生。
N-type 晶圓進行peeling test
P-type晶圓進行peeling test
依照JESD22-B117B規範進行推球實驗，推力均大於350gf以上，高於Automotive 規格226gf
應用範圍
- 現有金屬組合：鋁 / 鈦 / 鎳釩/ 銀 (Al / Ti / NiV / Ag)或鈦 / 鎳釩 / 銀 (Ti / NiV / Ag) ，可依客戶需求進行厚度調整
- 適用“八吋晶圓
- 鋁 / 鈦 / 鎳釩 /銀 (Al / Ti / NiV / Ag) 成長的均勻性極佳
- MOSFET及IGBT背面金屬層
