對晶背離子植入做退火,使植入離子活化,並修補因離子植入所造成的晶格破壞。由於加熱時間很短,且集中在局部小區域,儘管高溫達800~1100度C,但高溫的深度只有數um而已, 另外正面的溫度小於50度C,因此,此技術完全不會影響晶圓正面的元件。
Propowertek宜錦為台灣少數可以提供雷射退火(Laser Annealing)製程的服務提供者,使用之機台同時具備有綠光雷射及遠紅外光雷射雙光源;搭配Propowertek宜錦相關製程研發人員快速整合前段晶圓廠及中後段製程整體需求,協助客戶產品快速量產進入市場。
謝先生 / Felipe Hsieh
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