宜錦晶圓減薄能力達1.5mil
2021-01-06
宜錦科技
隨5G、物聯網、電動車蓬勃發展，對於低功耗要求越來越高，功率半導體成為這些產業勢不可擋的必備組件。 Propowertek宜錦宣布，成功開發晶圓減薄達1.5mil(38um)技術，通過客戶肯定，技術門檻大突破。
Propowertek宜錦指出，功率半導體進行「減薄」，一直都是改善製程、使得功率組件實現「低功耗、低輸入阻抗」最直接有效的方式。晶圓減薄除了有效減少後續封裝材料體積外，還可因降低RDS(on)(導通阻抗)進而減少熱能累積效應，以增加芯片的使用壽命。 。
但如何在薄化製程中降低晶圓厚度，又同時兼顧晶圓強度，避免破片率居高不下之風險自晶圓薄化最大的風險。
但如何在薄化製程中降低晶圓厚度，又同時兼顧晶圓強度，避免破片率居高不下之風險自晶圓薄化最大的風險。
為解決此風險，Propowertek宜錦領先業界，已完成2mil(50um)、1.5mil(38um)，甚至到0.4mil(10um)薄化技術開發，Propowertek宜錦更藉由特殊的優化製程，在降低晶圓厚度的同時，也兼顧晶圓強度，可將研磨損傷層(Damage layer)降到最低。
圖說：使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil最佳化條件後的損壞層厚度及TEM分析
以上與您分享宜錦的最新技術，
若您有相關需求，Propowertek宜錦可以配合您進行後續的工程開發，
為您提供Power MOSFET/IGBT等元件的薄化強度改善，歡迎洽詢。
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謝先生 / Felipe Hsieh
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