節能高效的最佳男主角-DR-MOS
整合成一個元件，除了使得元件小型化以外，更有著用電效能提昇及產品效能提昇的好處。
三合一節能元件:DR-MOS
由於隨技術發展， CPU/GPU對功率的要求，越來越高，與分離獨立的元件相較，DR-MOS可大幅度降低寄生電容電感，進而降低開關損耗，實現卓越的效率。
圖一：DR-MOS架構圖
省電超頻的DR-MOS
傳統的CPU/GPU電源供應器，由於是高頻電源轉換，主要藉由PWM 控制器(Pulse Width Modulation controller)產出運作的時脈(Pulse)給Driver，再利用Driver 去控制 High side/Low side MOSFET的開關 (如圖一所示)。因此在傳統做法上，需使用三顆IC： Driver、high side MOSFET、low side MOSFET，然而這三個獨立的IC，分散在主機板上，彼此間的訊號傳遞路徑很長，所以，操作頻率無法太高，只能控制在200KHz-400KHz之間；因此若需在更高頻的環境下操作，是無法提供CPU/GPU足夠的動態電流。
DR-MOS則是將Driver、High side MOSFET、Low side MOSFET，封裝在一個QFN中，將大幅降低控制訊號的傳遞路徑，因此，將可提高操作頻率，提至550KHz-850KHz之間，提供CPU/GPU足夠的動態電流。
因此，使用DR-MOS的主機板，在相同的散熱條件下，溫度及阻值更低，展現更好的用電效率、更省電；此外，透過DR-MOS的超低電源反應時間及低阻抗特性，主機板也可會有更好的超頻表現。
DR-MOS主要多用在CPU/ GPU供電、伺服器、資料庫、5G等需要高頻操作的應用。
圖二：傳統架構與DR-MOS的比較
ProPowertek宜錦打造一站式薄化供應鏈，實現三合一DR-MOS元件
現今各家半導體廠不斷想方設法將零件小型化外，更朝向高度積體化發展，DR-MOS這樣的產品，就成了各家半導體廠發展的重點。宜錦擁有高度發展的正面金屬化製程(Front Side Metallization，簡稱FSM)，可以將最終金屬由鋁(Al)轉換為銀(Ag)或金(Au)，此外，ProPowertek宜錦成熟的薄化技術，已達量產50um 太鼓製程(Taiko)，並且可小量提供客戶進行37.5um的工程驗證。