背面研磨製程
Back Side Grinding Process
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晶圓薄化 (Wafer Thinning/Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)
利用研磨輪，進行快速而精密之研磨 (Grinding) 後，再去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。
ProPowertek宜錦能為您做什麼？
完整的BGBM製程，第一步是晶圓薄化，在研磨 (Grinding) 及蝕刻後，可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度，並且移除破壞層，並且降低應力。
一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)流程
依照客戶晶圓特性，與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶後，進行膠帶貼附 (Taping)；接著，進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)，並在完成一般研磨後，進行晶背溼蝕刻 (Backside Wet Etching)；最後，進行厚度量測 (Measurement)。
ProPowertek宜錦服務優勢
▶ 採用DISCO全自動機台，可精準控制研磨
▶ 提供單片式蝕刻機台，可依客戶需求對N型或 P型晶圓
▶ 提供客戶所需要之製程。
▶ 提供非接觸式光學量測，高精準度，完勝一般業界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
▶ 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
進行研磨及蝕刻後的晶圓
進行蝕刻後之晶圓
進行研磨後之晶圓
應用範圍
⏺︎ 現有厚度組合： ≧100um，可依客戶需求進行厚度調整
⏺︎ 適用八吋、六吋、P型 / N型晶圓
