服務項目
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服務項目
“在前段晶圓代工廠完成晶圓允收測試(WAT)後， 進行封裝 (Assembly)， 如何進行晶圓薄化與背金成長(BGBM)？“
“好不容易完成了晶圓薄化與背金成長(BGBM) ，但後續又得將晶圓運送到其他地方做CP和切割， 有沒有一次就做到好的合作夥伴？“
ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程， 協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM)
⏺︎ 多種研磨製程解決方案
⏺︎ 多種背金解決方案
⏺︎ 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um及多種正面金屬製程解決方案
⏺︎ 完整而廣泛的一站式服務
服務特色
⏺︎ 一站到位 (One-Stop) 服務
正面金屬化製程
Front Side Metallization Process
Front Side Metallization Process
背面研磨製程
Back Side Grinding Process
Back Side Grinding Process
背面金屬化製程
Back Side Metallization Process
Back Side Metallization Process
IGBT晶圓後段製程
IGBT Wafer Backend Process
IGBT Wafer Backend Process
⏺︎ 其他服務
後段製程完整解決方案
Turnkey Solution for Backend Process
Turnkey Solution for Backend Process
半導體製造流程
ProPowertek 宜錦科技結合創量科技(舊名:標準科技)，可提供從晶圓製程處理一路到後段CP、WLCSP與DPS一站式解決方案(參見圖內綠底綠字)。
服務項目
⏺︎ 正面金屬製程
化鍍 / 無電鍍
(Chemical / Electro-less Plating)
正面金屬濺鍍沈積
(Metal Sputtering Deposition)
⏺︎ 背面研磨製程
太鼓超薄研磨完整方案
(Taiko Grinding Total Solution)
晶圓薄化
(Wafer thinning/Non-Taiko Grinding/Conventional Grinding)
⏺︎ 晶圓切割製程
金屬蒸鍍沈積
(Metal Evaporation)
厚銀製程
(Thick Ag Process)
背面金屬濺鍍沈積
(Back Side Metal Sputtering Deposition)
⏺︎ IGBT晶圓後段製程
IGBT背面金屬濺鍍沈積
(IGBT Back Side Metal Sputtering
Deposition)
晶背離子植入
(Backside Implantation)
雷射退火
(Laser Annealing)
⏺︎ AOI自動光學檢測方案
晶圓AOI檢測
(Wafer AOI inspection)
⏺︎ 晶圓切割製程
刀片切割
(blade cutting)
雷射切割
(laser cutting)
⏺︎ 晶圓測試製程
CP晶圓測試完整方案
(Complete solution for CP
wafer testing)
測試平台與針測機種類
(Types of test platforms
and probe machines)
⏺︎ 後段製程完整解決方案
搭配創量科技(舊名標準)提供多項服務，包括晶片切割、挑揀及最終測試，並可依客戶需求，進行製程微調，為客戶提供整合前段晶圓廠及後段Assembly 組裝廠之製程解決方案。
