正面金屬化製程
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正面金屬濺鍍沈積 (Metal Sputtering Deposition)
利用高真空的環境，將氬原子 (Ar) 解離後，產生二次電子和氬 (Ar) 離子，再利用靶材上的負電位，使氬 (Ar) 離子加速撞擊靶材，使靶材上的金屬沈積在晶片表面上。
ProPowertek宜錦能為您做什麼？
ProPowertek宜錦提供正面金屬濺鍍沈積 (Metal Sputtering Deposition)，可製備焊墊金屬層，如鈦 / 鎳釩/ 銀 (Ti / NiV / Ag)，定義焊墊圖形
金屬濺鍍沈積(Metal Sputtering Deposition)流程
客戶的晶圓在完成入站檢驗 (IQC) 後，按照客戶指示之種類及厚度，進入濺鍍機沈積金屬(Sputtering)。完成金屬沈積後，以客戶指定之光罩圖形，搭配黃光機台定義要留下的金屬圖形後 (PHOTO)，進行金屬蝕刻 (Metal Etching)；最後，將光阻去除 (PR Strip) 後，出站檢驗(OQC)。
宜錦服務優勢
▶ 提供鈦 /鎳釩/ 銀 (Ti / NiV / Ag) 對鋁墊 (Al Pad) 的高選擇比蝕刻，讓露出的鋁墊 (Al Pad) 減損厚度降到最低，以利客戶可以進行Mix-bond作業，藉此可為客戶降低後續封裝成本。
▶ 專業黃光製程團隊，協助客戶檢視Tape Out / Job File，無痛轉移後續的光罩作業。
▶ 工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。
案例分享
金屬濺鍍沈積 (Metal Sputtering Deposition)
以金屬濺鍍沈積 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金屬化製程，鎳釩及鈦的退縮 (Under Cut) 極小，達0.22um
客戶可利用此製程，進行後續的Clip bond或是Mix Bond
在進行Mixed bond的時候，最大的問題是Gate pad要如何保護？
利用高選擇比的蝕刻，可以確保Gate pad的鋁厚度
原始Al-Cu pad 4.42um
低的選擇比使Al-Cu Pad只有0.352um
高的選擇比使Al-Cu pad達到4.35um
應用範圍
⏺︎ 現有金屬組合：鈦 / 鎳釩 / 銀 (Ti / NiV / Ag) ，可依客戶需求進行厚度調整
⏺︎ 適用“八吋晶圓
⏺︎ 鈦 / 鎳釩 /銀 (Ti / NiV / Ag) 成長的均勻性極佳
⏺︎ 極小Under Cut
