IGBT晶圓後段製程
IGBT Wafer Backend Process
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晶背離子植入 (Backside implantation)
晶背離子植入是利用電漿把要植入的氣體分子離子化，離子受電場加速前進，受磁場轉彎，最後以高動能打入晶圓背面的淺層表面。使矽材質可以摻入3價離子形成P型或摻入5價離子形成N型半導體。
ProPowertek宜錦能為您做什麼？
針對薄晶圓的晶背進行離子植入，形成IGBT的集極 (collector)或是IGBT的場截止(Field stop)，目前台灣的8吋工廠中，僅有少部份公司可提供此項服務。
案例分享
圖說：在晶背進行離子植入後，以SIMS檢測離子濃度
應用範圍
⏺︎ 後段晶背 (back side) 的離子植入。
⏺︎ 晶圓 : 8吋 Non-Taiko150 um、Taiko 150~50um。6吋150um開發中。
⏺︎ 植入離子種類 (Implanter dopant): 硼 (B)、磷 (P)。視客戶需求進行砷 (As)的開發。
⏺︎ 植入離子能量： 2.4MeV，2.4 MeV~8 MeV工程驗證中。
⏺︎ 配合雷射退火(Laser Annealing)機台為客戶提供IGBT整體解決方案。可客製化不同的植入深度及活化深度。
