IGBT晶圓後段製程
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雷射退火(Laser Annealing)
雷射退火(Laser Annealing)是利用聚焦後的小面積高能量雷射光，對晶背做快速的加熱來達到淺層退火的目的。
ProPowertek宜錦能為您做什麼？
對晶背離子植入做退火，使植入離子活化，並修補因離子植入所造成的晶格破壞。由於加熱時間很短，且集中在局部小區域，儘管高溫達800~1100度C，但高溫的深度只有數um而已, 另外正面的溫度小於50度C，因此，此技術完全不會影響晶圓正面的元件。
Propowertek宜錦服務優勢
Propowertek宜錦為台灣少數可以提供雷射退火(Laser Annealing)製程的服務提供者，使用之機台同時具備有綠光雷射及遠紅外光雷射雙光源；搭配Propowertek宜錦相關製程研發人員快速整合前段晶圓廠及中後段製程整體需求，協助客戶產品快速量產進入市場。
案例分享
圖說：以雷射退火活化植入離子後，使用SIMS進行「活化前後離子濃度分布」的比較。
應用範圍
⏺︎ 晶背(back side)的離子植入之後，以雷射退火讓離子活化。
⏺︎ 能處理6吋8吋薄晶圓 : Non-Taiko 150um以上、Taiko 150~50um。
⏺︎ 配合離子植入機台為客戶提供IGBT整體解決方案，並可客製化不同的植入深度及活化深度。
