背面研磨制程
Back Side Grinding Process
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晶圆薄化 (Wafer Thinning/Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)
利用研磨轮，进行快速而精密之研磨 (Grinding) 后，再去除因研磨产生的破坏层，并释放应力。
ProPowertek宜锦能为您做什么？
完整的BGBM制程，第一步是晶圆薄化，在研磨 (Grinding) 及蚀刻后，可为客户提供厚度达到仅100um的厚度，并且移除破坏层，并且降低应力。
一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)流程
依照客户晶圆特性，与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后，进行胶带贴附 (Taping)；接着，进行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)，并在完成一般研磨后，进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching)；最后，进行厚度量测 (Measurement)。
ProPowertek宜锦服务优势
▶ 采用DISCO全自动机台，可精准控制研磨
▶ 提供单片式蚀刻机台，可依客户需求对N型或 P型晶圆
▶ 提供客户所需要之制程。
▶ 提供非接触式光学量测，高精准度，完胜一般业界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
▶ 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
进行研磨及蚀刻后的晶圆
进行蚀刻后之晶圆
进行研磨后之晶圆
应用范围
⏺︎ 现有厚度组合： ≧100um，可依客户需求进行厚度调整
⏺︎ 适用八吋、六吋、P型 / N型晶圆
