节能高效的最佳男主角-DR-MOS

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节能高效的最佳男主角-DR-MOS

“在电子元件追求轻薄短小的现今社会中，利用DR-MOS，将原先分离独立的三个元件，整合成一个元件，除了使得元件小型化以外，更有着用电效能提升及产品效能提升的好处。

三合一节能元件:DR-MOS

Doctor MOS也称DR-MOS，是将驱动IC(Driver)、High Side MOS和Low Side MOS，利用四方平面无引脚封装(Quad Flat Non-leaded package，简称QFN）的封装技术，把三个分离的元件，整合成一个高度积体化元件的节能技术。由于随技术发展， CPU/GPU对功率的要求，越来越高，与分离独立的元件相较，DR-MOS可大幅度降低寄生电容电感，进而降低开关损耗，实现卓越的效率。

圖一：DR-MOS架構圖

省电超频的DR-MOS

传统的CPU/GPU电源供应器，由于是高频电源转换，主要藉由PWM 控制器(Pulse Width Modulation controller)产出运作的时脉(Pulse)给Driver，再利用Driver 去控制 High side/Low side MOSFET的开关 (如图一所示)。因此在传统做法上，需使用三颗IC： Driver、high side MOSFET、low side MOSFET，然而这三个独立的IC，分散在主机板上，彼此间的讯号传递路径很长，所以，操作频率无法太高，只能控制在200KHz-400KHz之间；因此若需在更高频的环境下操作，是无法提供CPU/GPU足够的动态电流。

DR-MOS则是将Driver、High side MOSFET、Low side MOSFET，封装在一个QFN中，将大幅降低控制讯号的传递路径，因此，将可提高操作频率，提至550KHz-850KHz之间，提供CPU/GPU足够的动态电流。因此，使用DR-MOS的主机板，在相同的散热条件下，温度及阻值更低，展现更好的用电效率、更省电；此外，透过DR-MOS的超低电源反应时间及低阻抗特性，主机板也可会有更好的超频表现。 DR-MOS主要多用在CPU/ GPU供电、伺服器、资料库、5G等需要高频操作的应用。

图二：传统架构与DR-MOS的比较

ProPowertek宜锦打造一站式薄化供应链，实现三合一DR-MOS元件

现今各家半导体厂不断想方设法将零件小型化外，更朝向高度积体化发展，DR-MOS这样的产品，就成了各家半导体厂发展的重点。宜锦拥有高度发展的正面金属化制程(Front Side Metallization，简称FSM)，可以将最终金属由铝(Al)转换为银(Ag)或金(Au)，此外，ProPowertek宜锦成熟的薄化技术，已达量产50um 太鼓制程(Taiko)，并且可小量提供客户进行37.5um的工程验证。

ProPowertek宜锦提供晶圆后段制程一站式整合服务，从太鼓(Taiko)薄化制程，到背面金镀膜、晶片测试(Chip Probing)、真空贴片(Vacuum Mount)、太鼓环移除 (Ring Removal)、晶片切割(Die Sawing) 到晶粒挑拣(Tape & Reel)，让客户能够有完整的薄化供应链。

應用範圍

⏺︎ 現有金屬組合：鋁 / 鈦 / 鎳釩/ 銀 (Al / Ti / NiV / Ag)或鈦 / 鎳釩 / 銀 (Ti / NiV / Ag) ，可依客戶需求進行厚度調整
⏺︎ 適用“八吋晶圓
⏺︎ 鋁 / 鈦 / 鎳釩 /銀 (Al / Ti / NiV / Ag) 成長的均勻性極佳
⏺︎ MOSFET及IGBT背面金屬層

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