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MOSFET正面金属化制程高CP值选择-化镀
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2025-11-14
「 我们知道FSM制程包括化镀、溅镀,你知道哪一种是成熟稳定,且可靠度极佳的制程?哪一种是CP值高,可以有较低 […]
宽能隙半导体切割瓶颈,仰赖激光技术全切穿!
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2024-11-05
「 在半导体制程中,您是否遇到过传统晶圆切割机,在处理高硬度或脆性材料时,出现切割不均或边缘破损的情况?您是否 […]
如何不变更设计,快速降低MOSFET的导通阻抗RDS(on)
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2021-02-05
「 MOSFET功率半导体晶片火红,如何有效降低RDS(on)(导通阻抗)?」 MOSFET在电子产品扮演「开 […]
1.5 mil 晶圆薄化新挑战 如何在 Taiko BGBM 制程提升晶片强度?
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2021-02-05
「 功率半导体的轻薄短小,是现今热门议题与未来趋势。但随着晶片薄化后,接踵而来的风险是什么 ?要如何有效地来抑 […]
MOSFET正面金属化制程(FSM)的两种选择-溅镀V.S.化镀
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2021-02-05
「 为什么需要做正面金属化制程?为什么不是所有晶片都要做金属化制程?正面金属化制程,可以用哪两种方式来进行? […]
