正面金属化制程
- Home
- /
- 正面金属溅镀沉积
正面金属溅镀沉积 (Metal Sputtering Deposition)
利用高真空的环境，将氩原子 (Ar) 解离后，产生二次电子和氩 (Ar) 离子，再利用靶材上的负电位，使氩 (Ar) 离子加速撞击靶材，使靶材上的金属沉积在晶片表面上。
ProPowertek宜锦能为您做什么？
ProPowertek宜锦提供正面金属溅镀沉积 (Metal Sputtering Deposition)，可制备焊垫金属层，如钛 / 镍钒/ 银 (Ti / NiV / Ag)，定义焊垫图形
金属溅镀沉积(Metal Sputtering Deposition)流程
客户的晶圆在完成入站检验 (IQC) 后，按照客户指示之种类及厚度，进入溅镀机沉积金属(Sputtering)。完成金属沉积后，以客户指定之光罩图形，搭配黄光机台定义要留下的金属图形后 (PHOTO)，进行金属蚀刻 (Metal Etching)；最后，将光阻去除 (PR Strip) 后，出站检验(OQC)。
宜锦服务优势
▶ 提供钛 /镍钒/ 银 (Ti / NiV / Ag) 对铝垫 (Al Pad) 的高选择比蚀刻，让露出的铝垫 (Al Pad) 减损厚度降到最低，以利客户可以进行Mix-bond作业，借此可为客户降低后续封装成本。
▶ 专业黄光制程团队，协助客户检视Tape Out / Job File，无痛转移后续的光罩作业。
▶ 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
金属溅镀沉积 (Metal Sputtering Deposition)
以金属溅镀沉积 (Metal Sputtering Deposition) 完成的正面金属化制程，镍钒及钛的退缩 (Under Cut) 极小，达0.22um
客户可利用此制程，进行后续的Clip bond或是Mix Bond
在进行Mixed bond的时候，最大的问题是Gate pad要如何保护？
利用高选择比的蚀刻，可以确保Gate pad的铝厚度
原始Al-Cu pad 4.42um
低的选择比使Al-Cu Pad只有0.352um
高的选择比使Al-Cu pad达到4.35um
应用范围
⏺︎ 现有金属组合：钛 / 镍钒 / 银 (Ti / NiV / Ag) ，可依客户需求进行厚度调整
⏺︎ 适用“八吋晶圆
⏺︎ 钛 / 镍钒 /银 (Ti / NiV / Ag) 成长的均匀性极佳
⏺︎ 极小Under Cut
