IGBT晶圆后段制程
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雷射退火(Laser Annealing)
雷射退火(Laser Annealing)是利用聚焦后的小面积高能量雷射光，对晶背做快速的加热来达到浅层退火的目的。
ProPowertek宜锦能为您做什么？
对晶背离子植入做退火，使植入离子活化，并修补因离子植入所造成的晶格破坏。由于加热时间很短，且集中在局部小区域，尽管高温达800~1100度C，但高温的深度只有数um而已, 另外正面的温度小于50度C，因此，此技术完全不会影响晶圆正面的元件。
Propowertek宜锦服务优势
Propowertek宜锦为台湾少数可以提供雷射退火(Laser Annealing)制程的服务提供者，使用之机台同时具备有绿光雷射及远红外光雷射双光源；搭配Propowertek宜锦相关制程研发人员快速整合前段晶圆厂及中后段制程整体需求，协助客户产品快速量产进入市场。
案例分享
图说：以雷射退火活化植入离子后，使用SIMS进行「活化前后离子浓度分布」的比较。
应用范围
⏺︎ 晶背(back side)的离子植入之后，以雷射退火让离子活化。
⏺︎ 能处理6吋8吋薄晶圆 : Non-Taiko 150um以上、Taiko 150~50um。
⏺︎ 配合离子植入机台为客户提供IGBT整体解决方案，并可客制化不同的植入深度及活化深度。
