IGBT晶圆后段制程
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晶背离子植入 (Backside implantation)
晶背离子植入是利用电浆把要植入的气体分子离子化，离子受电场加速前进，受磁场转弯，最后以高动能打入晶圆背面的浅层表面。使矽材质可以掺入3价离子形成P型或掺入5价离子形成N型半导体。
ProPowertek宜锦能为您做什么？
针对薄晶圆的晶背进行离子植入，形成IGBT的集极 (collector)或是IGBT的场截止(Field stop)，目前台湾的8吋工厂中，仅有少部份公司可提供此项服务。
案例分享
图说：在晶背进行离子植入后，以SIMS检测离子浓度
应用范围
⏺︎ 后段晶背 (back side) 的离子植入。
⏺︎ 晶圆 : 8吋 Non-Taiko150 um、Taiko 150~50um。 6吋150um开发中。
⏺︎ 植入离子种类 (Implanter dopant): 硼 (B)、磷 (P)。视客户需求进行砷 (As)的开发。
⏺︎ 植入离子能量： 2.4MeV，2.4 MeV~8 MeV工程验证中。
⏺︎ 配合雷射退火(Laser Annealing)机台为客户提供IGBT整体解决方案。可客制化不同的植入深度及活化深度。
