IGBT晶圆后段制程
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IGBT背面金属溅镀沉积 (IGBT Back Side Metal Sputtering Deposition)
背面金属溅镀沉积 (Back Side Metal Sputtering Deposition)，是利用高真空的环境，将氩原子 (Ar) 解离后，产生二次电子和氩 (Ar) 离子，再利用靶材上的负电位，使氩 (Ar) 离子加速撞击靶材，使靶材上的金属沉积在晶片表面上。
ProPowertek宜锦能为您做什么？
可提供背面金属溅镀沉积 (Back Side Metal Sputtering Deposition)，可以在晶圆完成了研磨等薄化步骤后，利用特殊设计的机台，自动化为客户制备焊垫金属层，如MOSFET需求的钛 / 镍钒/ 银 (Ti / NiV / Ag)，以及IGBT需求的铝 / 钛 / 镍钒/ 银 (Al / Ti / NiV / Ag)。
背面金属溅镀沉积 (Back Side Metal Sputtering Deposition)流程
机台会有固定时间，周期性的进行机台稳定度的检测，利用控片分别进行各反应腔(Chamber)的测试，在ICP反应腔中会进行蚀刻率测试，在铝(Al)、钛(Ti)、镍钒(NiV)、银(Ag)则会分别进行沉积率及均匀性的预测试，确定了机台状况一如往常的平稳后，产品会依照排程开始进入生产，客户的晶圆在完成入站检验 (IQC) 后，客户可要求进行沉积前DHF清洗或是直接进入溅镀机，按照客户指示之种类及厚度及ICP条件，进行金属沉积 (Sputtering Deposition)，完成金属沉积后，可依客户需求进行沉积后之氮气退火，或是直接进行出站检验 (OQC)。
ProPowertek宜锦服务优势
▶ 提供铝 / 钛 / 镍钒/ 银 (Al / Ti / NiV / Ag)及钛 / 镍钒/ 银 (Ti / NiV / Ag)的金属组合。
▶ 可以全自动进行薄片溅镀，无需人员手动操作。
▶ 可以提供溅镀前清洗，避免原生氧化层产生，促进铝突(Al Spiking)形成。
▶ 可以提供氮气高温烤箱，依客户需求进行金属后回火。
▶ 溅镀金属附着性良好，在高温高湿85℃/ 85%、1000小时可靠度验证下，无金属剥离 (Metal Peeling) 情况。
▶ 可依客户需求控制铝突产生。
▶ 工程师团队背景多元化，有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂，熟悉前中后段之制程整合及分析，能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。
案例分享
无金属剥离 (Non-metal Peeling)
溅镀金属后进行蚀刻间隙后，以胶带进行peeling test，无金属剥离的情况。
高温高湿85度℃ 85%的 1000小时可靠度验证，并进行晶粒挑拣 (Die Sawing) 后，以Blue Tape进行金属剥离测试Peeling test，无任何剥离 (Peeling) 产生。
N-type 晶圆进行peeling test
P-type晶圆进行peeling test
依照JESD22-B117B规范进行推球实验，推力均大于350gf以上，高于Automotive 规格226gf
铝突的观察：金属成长后，去除金属可在矽表面可观察到铝突所形成的凹陷
因为铝突形成，对电性的改善
应用范围
⏺︎ 现有金属组合：铝 / 钛 / 镍钒/ 银 (Al / Ti / NiV / Ag)或钛 / 镍钒 / 银 (Ti / NiV / Ag) ，可依客户需求进行厚度调整
⏺︎ 适用八吋晶圆
⏺︎ 铝 / 钛 / 镍钒 /银 (Al / Ti / NiV / Ag) 成长的均匀性极佳
⏺︎ MOSFET及IGBT背面金属层
